NAND Flash的同步与异步

同步与异步 SDR与DDR Sync和Async ONFI和Toggle 闪存的同步与异步 SDR与DDR SDR(single data rate)，写数据使用上升沿或下降沿来触发。因为只用上升沿或下降沿，对信号的准确性要求较低。 DDR(double data rate)，写数据时通过MCU来控制D...

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NAND Flash 接口对比

)：写数据使用上升沿或下降沿来触发，因为只用上升沿或下降沿，对信号准确性要求较低。1.2 DDR(Double Data Rate)：写数据通过MCU来控制DQS信号跳变沿来触发（即上升沿和下降沿均触发），所以对信号的准确性要求较高，可以通过增加同步时钟信号来提高信号的准确性。 2. Sync和Async 2.1 Sync模式：指Flash操作时需要一个时钟源来对所村信号进行同步，提高信号采集的

操作时序一样的情况下，数据吞吐量却倍增的原因。图5 DDR2时序图如图6所示，比对DDR与DDR2的接口，其实DDR2就多了一个DQSn，即DQS/DQSn为一对差分数据时钟，用差分时钟还是单独信号...要来说为何DDR SDRAM虽然操作的时钟频率和SDR SDRAM一样，却能够在数据吞吐量上达到后者的两倍。也许你会不以为然，没错，DDR就是double data rata，不就是在SDR时钟单沿读写

DDR的前世与今生

差异，这就导致后面设计上很大的不同。SDR都是“单数据传输模式”，这种内存的特性是在一个内存时钟周期中，在一个波形上升沿时进行一次操作（读或写），而DDR则引用了一些新的设计及技术，其在一个内存时钟周期中，在波形上升沿时进行一次操作，在方波的下降沿时也做一次操作，相当于在一个时钟周期中，DDR则可以完成SDR两个周期才能完成的任务，所以理论上同速率的DDR内存与SDR内存相比

Vivado使用误区与进阶——XDC约束技巧之I/O篇 (上)

下降沿分别考虑和约束，以下以源同步接口为例，分别就输入接口数据为中心对齐或边沿对齐的方式来举例。 DDR 源同步中心对齐输入接口已知条件如下：时钟信号 src_sync_ddr_clk 的频率...一样的结果。 DDR 接口的约束设置 DDR 源同步接口的约束稍许复杂，需要将上升沿和下降沿分别考虑和约束，以下以源同步接口为例，分别就输入接口数据为中心对齐或边沿对齐的方式来举例。 DDR 源同步中心

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