DDR4 的VTT电流估算，DDR稳压器选型

VTT（0.6V）作为地址线/控制线（共25根）的上拉电源，上拉电阻39.2欧姆，最大电流：（0.6V/39.2）*25 = 0.38A。带4片DDR4，总的电流=0.38A * 4 = 1.52A；（错误），总电流还是0.38A；带5片DDR4，总的电流=0.38A * 5 = 1.90A；（错误），总电流还是0.38A。 DDR稳压器可选择请参考TI等官网...

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TPS51200DRCR 德州TI具有用于 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 的 VTTREF 缓冲基准的 3A 灌电流/拉电流 DDR 终端稳压器

范围：1.1V至3.5V 具有压降补偿功能的灌电流和拉电流终端稳压器需要超小的输出电容20µF（通常为3×10µF MLCC），可用于存储终端应用（DDR）用于...描述 TPS51200 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器，专门针对低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统而设计。FAE:13723714318 TPS51200 可

DDR4相比DDR3的变更点

、ADD、CTRL信号的参考电压VREFCA也下降到0.6V，这样可以降低DDR4的功耗。比较大的区别在于，DDR4中取消了VREFDQ，增加了Vpp。 Vpp并非用于替代VREFDQ，Vpp是为DDR4...、Vpp、VREFCA，其中VDD=VDDQ=1.2V，Vpp=2.5V，VREFCA=0.6V，增加了Vpp电源，删除了VREFDQ电源，电源对比结果如表1所示。图 1 DDR3和DDR4 96

MPSOC硬件设计参考1

100nF 见图： 3. DDR VTT 电压 DDR VTT 电压随DDR1，2，3，4不同而不同 VREF 电压一般与VO相同具体参考电路可参考 TPS51200 DDR4 VTT=0.6V DDR3L VTT=0.675V DDR3 VTT=0.75V DDR2 VTT=0.9V DDR VTT=1.25V 4. PS CLOCK 输入范围和电平要求晶体输入范围是：27M~60M 输入电平

MEMORY系列之“DDR设计规则”

DDR3的元器件布局图，这里使用的CPU支持双通道DDR3，所以看到有四片（参考设计是8片）DDR3，其实是每两个组成一个通道，地址线沿着图中绿色的走线传递，实现了菊花链拓扑。地址线上的VTT端接电阻摆放在...，地址/命令/控制信号线选择VDD作为参考平面，因为这些信号线本身就含有噪声。完成等长规则的设定后，最后一步也是工作量最大的一步：绕等长。在这一步，我认为只有一点规则需要注意：尽量采用3倍线宽，圆弧

扒一扒DDR4的新功能和PCB设计上的一些注意事项--转

，不可使用T型，拓扑过孔到管脚的长度尽量短，长度在150mil左右（2）VTT上拉电阻放置在相应网络的末端，即靠近最后一个DDR4颗粒的位置放置；注意VTT上拉电阻到DDR4颗粒的走线越短越好，走线长度小于500mil；每个VTT上拉电阻对应放置一个VTT的滤波电容（最多两个电阻共用一个电容）（3）CPU端和DDR4颗粒端，每个引脚对应一个滤波电容，滤波电容尽可能靠近引脚放置。线短而粗，回路尽量短

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